姓名：赵志斌
职称：教授，博士生导师
所在院系（所）：银河galaxy集团 先进输电研究所
研究方向（Focus Area）：
Ø先进输电技术（Advanced Power Transmission Technology）
Ø大功率电力电子器件（High Power Electronic Devices）
联系方式
办公地址：银河galaxy集团主楼A座429
电子邮箱：zhibinzhao@ncepu.edu.cn
办公电话：010-61771545
一、个人简介及主要荣誉称号
赵志斌 博士，教授，博士生导师。1977年生，2005年4月毕业于银河galaxy集团电力工程系获博士学位。2007年被聘为副教授，2013年晋升为教授，2019年被聘为博士生导师。现任先进输电研究所所长，兼任中国电机工程学会电力电子器件专业委员会委员，中国兵工学会复杂辐射场技术及应用专委会委员，中国电工技术学会电工理论与新技术专业委员会委员，中电联TC22标委会委员，CEC电力系统用电力电子器件标委会委员。
主要从事高压大功率电力电子器件相关研究，包括封装结构内部的多物理场分析、电磁兼容设计、封装结构设计等科学和工程技术问题，与国内相关研究机构合作致力于器件国产化的相关工作。获得省部级一等奖2项，二等奖2项。参与编写国家标准3项，翻译出版专著1本。已发表论文100余篇，申请专利30余项，获得国家自然科学基金、国家科技部智能电网专项及国家电网公司和南方电网公司项目多项。
二、教学与人才培养情况
1. 教学课程
本科生课程：工程电磁场，2005年开始，48/56学时
研究生课程：电力电子装备与器件应用基础，2017年开始，8/16学时
2. 学生培养
毕业博士：郝斌
毕业硕士：卢莹，谢宗奎，徐鹏，邹格，焦少康，吴德志，徐国林，张宏，雷小舟，王浩宇，翟宾，邹琦，孙志宇，范腾飞，吴涛，黄华震，贺月，郭燕楠，闫音蓓，杜泽晨，刘东明，赵斌，彭娇阳，梁帅，余秋萍，郭亚慧，徐子柯，许颢，李智
三、主要科研项目
[1] 国家重点研发计划课题，高压大功率SiC IGBT器件封装多芯片并联均流、电气绝缘、电磁兼容和驱动保护方法，2018-2021，179万
[2] 国家重点研发计划课题，高压大容量碳化硅功率器件和模块封装关键技术研究，2016-2021，86万
[3] 国家自然基金面上项目，高压大电流IGBT模块内部多物理场分析与拓扑优化研究，2015-2018，90万
[4] 南网研究院，相变冷却IGBT封装结构、运行特性研究及相变冷却性能测试，2018-2020，139万
[5] 全球能源互联网研究院，硅功率器件关键技术研究与器件研制，2019-2021，80万
四、主要获奖荣誉
[1] 中国电机工程学会，电网雷击防护关键技术与工程应用，2014年获中国电力科学技术进步奖一等奖，排名10/15。
[2] 中国电机工程学会，高海拔特高压直流线路电磁环境特性及抑制措施研究，2014年获中国电力技术奖二等奖，排名4/9。
[3] 天津市人民政府，能源互联网中能源路由器的控制方法、关键技术与工程应用，2018年获天津市科技进步奖二等奖，排名1/10。
五、代表性论文（近5年）：
[1] Yumeng Cai, Cong Chen, Zhibin Zhao. Characterization of Gate-Oxide Degradation Location for SiC MOSFETs Based on the Split C–V Method Under Bias Temperature Instability Conditions[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2023, 38(5): 6081-6093.（SCI）
[2] Yumeng Cai, Tong Sun, Peng Sun, Zhibin Zhao. Influence of parasitic parameters on dynamic threshold voltage hysteresis of silicon carbide MOSFETs[J]. CSEE Journal of Power and Energy Systems, 2023.（SCI）
[3] Peng Sun, Yahui Guo, Tao Wu, Zhibin Zhao. An online junction temperature monitoring correction method for SiC MOSFETs at different parasitic parameters[J]. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 2021, 10(5): 5007-5018.（SCI）
[4] Bin Hao, Cheng Peng, Xinling Tang, Zhibin Zhao. Calculation and analysis for spectrum characteristics parameters of switching device for reduced EMI generation[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2021, 37(5): 5444-5454.（SCI）
[5] Bin Hao, Yixuan Yang, Xinling Tang, Zhibin Zhao. Transient Analytical Model of High-Voltage and High-Power IGBT Device Based on Nondual Relationship for the Switching Process[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2022, 38(3): 2827-2832.（SCI）
[6] Junji Ke, Zhibin Zhao, Peng Sun. Chips classification for suppressing transient current imbalance of parallel-connected silicon carbide MOSFETs[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 35(4): 3963-3972.（SCI）
[7] Peng Sun, Xiang Cui, Si Huang, Pengyu Lai, Zhibin Zhao. LTCC based current sensor for silicon carbide power module integration[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2021, 37(2): 1605-1614.（SCI）
[8] Yumeng Cai, Hao Xu, Peng Sun, Junji Ke, Erping Deng, Zhibin Zhao. Effect of threshold voltage hysteresis on switching characteristics of silicon carbide MOSFETs[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(10): 5014-5021.（SCI）
[9] 赵斌,柯俊吉,孙鹏,蔡雨萌,赵志斌.公共支路阻抗耦合对碳化硅MOSFET器件并联电流分配的影响及优化[J].中国电机工程学报,2022,42(07):2638-2650.（EI）
[10] 孙鹏,赵志斌,蔡雨萌.基于开关能量均衡的并联碳化硅MOSFET芯片筛选[J].中国电机工程学报,2019,39(19):5613-5623+5889.（EI）
[11] 柯俊吉, 赵志斌, 谢宗奎, 徐鹏, 崔翔. 考虑寄生参数影响的碳化硅MOSFET开关暂态分析模型[J]. 电工技术学报, 2018, 33(8):1762-1774.（EI）
六、授权发明专利（近5年）
[1] 柯俊吉,谢宗奎,张希蔚,徐鹏,赵志斌,崔翔.一种直流母排,2017105638046
[2] 柯俊吉,谢宗奎,孙鹏,魏昌俊,赵志斌,崔翔.一种半桥模块和封装方法,2017106718832
[3] 柯俊吉,黄华震,孙鹏,邹琦,赵志斌,崔翔.一种功率半导体模块内部并联芯片筛选方法及系统,2017111663346
[4] 孙鹏,柯俊吉,邹琦,黄华震,赵志斌,崔翔.一种开关器件筛选系统及方法,201711260643X
[5] 谢宗奎,邹琦,柯俊吉,徐鹏,赵志斌,崔翔.一种新型封装结构的功率模块,2018106166704
[6] 徐鹏,柯俊吉,邹琦,谢宗奎,孙鹏,黄华震,蔡雨萌,赵志斌,崔翔.一种用于高低温试验箱的多器件并行测试夹具,2018103696747
[7] 谢宗奎,邹琦,柯俊吉,徐鹏,赵志斌,崔翔.一种新型封装结构的功率模块,2018209261782
[8] 赵斌,柯俊吉,张浩然,赵志斌.一种多器件并联功率模块的布局电路板,2020100086718
[9] 赵斌,孙鹏,余秋萍,赵志斌.一种功率模块及其封装方法,2020115605661
[10] 赵斌,孙鹏,余秋萍,赵志斌.一种多芯片并联功率模块,2021102706480
[11] 蔡雨萌,徐子珂,孙鹏,赵志斌.一种功率半导体器件的测试夹具及测试方法,2020115940123
[12] 孙鹏,张浩然,彭娇阳,赵志斌,崔翔.基于低温共烧陶瓷技术的高温电流传感器及其应用和方法,2021106236982
[13] 郭亚慧,孙鹏,李焕林,蔡雨萌,赵志斌,王异凡,刘黎,邵先军,曾明全,王少华.碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统,2022100476224
[14] 许灏,蔡雨萌,孙鹏,赵志斌.阻性负载碳化硅MOSFET半桥串扰电压峰值计算方法,202210028848X
[15] 徐子珂,蔡雨萌,张阳,孙鹏,赵志斌,曹博源,王爽.一种碳化硅MOSFET开通延时计算方法及其应用,2022102549427
[16] 余秋萍,孙鹏,赵斌,赵志斌.一种电压钳位电路,2021105095296
[17] 孙鹏,张浩然,彭娇阳,赵志斌,崔翔.基于低温共烧陶瓷技术的高温电流传感器及其应用和方法,2021106236982
[18] 彭娇阳,孙鹏,张浩然,赵志斌.基于功率半导体器件静态参数判定短路后失效方法及其应用,2021106261433
[19] 蔡雨萌,徐子珂,梁帅,赵志斌.功率半导体器件栅氧性能参数测量电路及其测量方法,2021107765254
七、国家标准
[1] GB/Z 17799.6-2017 电磁兼容 通用标准 发电厂和变电站环境中的抗扰度
